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1.硅基应变CMOS研究与设计

作者：屈江涛

关键词：Si基应变 ; CMOS ; 阈值电压 ; I-V模型 ; 漏致势垒降低效应

论文级别：博士

学位年度：2012

2.单轴应变Si能带结构与nMOS电子迁移率研究

作者：王冠宇

关键词：单轴应变Si ; 能带结构 ; nMOS ; 阈值电压 ; 反型层迁移率

论文级别：博士

学位年度：2012

3.Si基应变材料制备技术研究

作者：赵丽霞

关键词：Si基应变材料 ; 迁移率 ; 外延系统 ; 生长技术 ; 微观分析

论文级别：博士

学位年度：2012

4.新型反熔丝器件及抗总剂量辐射PROM的研究与实现

作者：王刚

关键词：BZN反熔丝 ; 反熔丝PROM ; 双栅晶体管 ; 感应耦合等离子体 ; 反熔丝特性 ; 总剂量效应

论文级别：博士

学位年度：2013

5.超薄栅氧MOS器件栅泄漏电流研究

作者：胡仕刚

关键词：应力感应漏电流 ; 界面陷阱 ; 氧化层电荷 ; MOS器件

论文级别：博士

学位年度：2009

6.SOI基透明电极压控横向PIN光电二极管的研究

作者：谢海情

关键词：透明电极压控横向PIN光电二极管 ; 透明电极 ; 光电特性 ; 量子效率 ; 频率特性 ; 第一性原理 ; 化学溶沉积法

论文级别：博士

学位年度：2011

7.40nm MOSFET性能波动分析与模型研究

作者：李曦

关键词：PSP模型 ; 版图邻近效应 ; 统计模型 ; 应力模型 ; 工艺波动 ; 纳米级 ; MOSFET ; SPICE

论文级别：博士

学位年度：2012

8.用于无线局域网的SiGe BiCMOS功率放大器关键技术研究

作者：阮颖

关键词：无线局域网 ; SiGe ; BiCMOS ; 功率放大器 ; 热稳定性 ; 功率单元 ; 自适应动态偏置

论文级别：博士

学位年度：2012

9.电荷耦合器件质子辐照损伤实验及数值模拟研究

作者：王祖军

关键词：电荷耦合器件 ; 质子辐照 ; 位移损伤 ; 电离损伤 ; 数值模拟

论文级别：博士

学位年度：2011

10.应变Si载流子迁移率研究

作者：王晓艳

关键词：应变Si ; 散射几率 ; 动量弛豫时间 ; 占有率 ; 载流子迁移率

论文级别：博士

学位年度：2012

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