搜索页_DIBL效应

网站地图 | English | 公务邮箱

NSTL服务站

中图分类法(20)

工业技术(20)

在“CNKI学位论文”中，命中：20条，耗时：小于0.01 秒

1.基于OEMS表征的多晶硅薄膜晶体管带隙能态及其器件模型研究

作者：黄君凯

关键词：多晶硅薄膜晶体管 ; 带隙能态 ; 表面势 ; 漏电流 ; 泄漏电流 ; 双栅 ; 光电子调制谱

论文级别：博士

学位年度：2011

2.应变硅器件低场迁移率模型和新结构SGOI器件的性能分析

作者：李斌

关键词：应变硅 ; 低场迁移率 ; 绝缘体上硅锗(SGOI) ; 自加热 ; 硅上氮化铝(SOAN)

论文级别：博士

学位年度：2011

3.90nm CMOS器件强场可靠性研究

作者：马晓华

关键词：超薄栅 ; 热载流子 ; NBTI ; P2ID ; 槽栅

论文级别：博士

学位年度：2006

4.新型纳米SOI MOS器件结构分析与可靠性研究

作者：曹磊

关键词：SOI ; MOSFET ; 异质栅 ; 高k栅介质 ; 量子化效应 ; 应变硅技术 ; 自加热效应

论文级别：博士

学位年度：2013

5.4H-SiC MESFET非线性模型研究

作者：曹全君

关键词：4H-SiC ; MESFET ; 射频 ; 大信号模型 ; 自热效应 ; DIBL效应

论文级别：博士

学位年度：2008

6.新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究

作者：李定宇

关键词：MOSFET ; 肖特基源漏 ; Halo ; 超薄体 ; 超薄Fin

论文级别：博士

学位年度：2008

7.用于超大规模集成电路的多栅MOSFET研究

作者：顾经纶

关键词：超大规模集成电路 ; 多栅MOSFET ; 围栅MOSFET ; 双栅MOSFET ; 载流子输运模型 ; 泊松方程 ; 沟道电势 ; 亚阈值摆幅 ; 阈值电压

论文级别：硕士

学位年度：2011

8.复合栅多阶梯场极板LDMOS电学特性的研究

作者：高珊

关键词：复合栅 ; 多阶梯场极板 ; LDMOS ; RESURF原理

论文级别：博士

学位年度：2007

9.纳米围栅MOSFET器件研究

作者：李聪

关键词：MOSFET ; 三异质栅 ; 电感应扩展源漏 ; 高κ栅介质 ; 短沟道效应边缘感应至势垒降低效应 ; 解析模型

论文级别：博士

学位年度：2011

10.图形化SOI技术研究

作者：董业民

关键词：图形化SOI ; SIMOX ; DSOl器件 ; 自热效应 ; 浮体效应 ; 纳米通道

论文级别：博士

学位年度：2004

1

2

按检索点细分(20)

目录(4)

关键词(1)

摘要(18)

按论文级别细分(20)

博士(12)

硕士(8)

按学位年度细分(20)

2004年(1)

2005年(1)

2006年(2)

2007年(1)

2008年(4)

2010年(2)

2011年(5)

2012年(2)

2013年(2)

网站地图　|　常见问题　|　交通位置　|　联系我们　|　OA远程办公　|　English

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有京ICP备05064691号京公网安备11010802017129号

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700