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1.低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
标准编号：GB/T 24581-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
2.酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
标准编号：GB/T 24579-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
3.热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
标准编号：GB/T 24577-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
4.高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
标准编号：GB/T 24576-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
5.酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
标准编号：GB/T 24582-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
6.半导体探测器X射线能谱仪通则
标准编号：GB/T 20726-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国微束分析标准化技术委员会
发布日期：2006-12-25
实施日期：2007-08-01
7.非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准编号：GB/T 4326-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC)
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
8.硅抛光片表面颗粒测试方法
标准编号：GB/T 19921-2005
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2005-09-19
实施日期：2006-04-01
9.硅片局部平整度非接触式标准测试方法
标准编号：GB/T 19922-2005
标准类型：国家标准
关键词：半导体 ; 半导体材料 ; 测量硅 ; 试验
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2005-09-19
实施日期：2006-04-01
10.半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
标准编号：GB/T 19199-2003
标准类型：国家标准
发布单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所
发布日期：2003-06-16
实施日期：2004-01-01
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