超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术

详细信息 本馆镜像全文    |  推荐本文 | | 获取馆网全文

英文篇名：Control Technique for Mechanical Strength of Ultrathin Polished Ge Wafer 中文刊名：半导体技术 英文刊名：Semiconductor Technology 作者：赵权 ; 杨洪星 ; 刘春香 ; 吕菲 ; 张伟才 ; 王云彪 英文作者：Zhao Quan ; Yang Hongxing ; Liu Chunxiang ; Lü Fei ; Zhang Weicai ; Wang Yunbiao(The 46th Research Institute ; CETC ; Tianjin 300220 ; China) 中文关键词：机械强度 ; 锗抛光片 ; 太阳电池 ; 损伤层 ; 砂轮砂粒粒径 英文关键词：mechanical strength ; Ge polished wafer ; solar cell ; damage layer ; grit diameter of grinding wheel 出版日期：2010-08-03 机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所; 年：2010 期：08 出版单位：半导体技术

摘要

Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。
Compound solar cell using polished monocrystal Ge wafers as substrate is widely used in aerospace filed,and the mechanical strength of ultrathin polished Ge wafer was received increasing attention.A method is introduced to test the mechanical strength,and the effects of sawing,lapping,grinding,etching and polishing on mechanical strength are investigated.The results show that adjusting grit diameter of grinding wheel,etching thickness and polishing rate are proved to be effective ways to improve the mechanical strength of ultrathin polished Ge wafer.

引文

[1]ANSPAUGHB E.GaAs solar cell radiation handbook[K].USA:NASACR-203421,1996:35-40.
    [2]张忠卫,陆剑峰,池卫英,等.砷化镓太阳电池技术的进展与前景[J].上海航天,2003,20(3):33-38.
    [3]何炜瑜.GaAs系列太阳电池技术与发展[J].中国民航学院学报,2004,22(2):60-65.
    [4]LAWNB,WILSHAWT R.脆性固体断裂力学[M].北京:地震出版社,1985:90-115.
    [5]罗辉.揭开材料破坏之谜——断裂力学入门[M].北京:机械工业出版社,1989:134-148.
    [6]康仁科,田业冰,郭东明,等.大直径硅片超精密磨削技术的研究与应用现状[J].金刚石与磨料磨具工程,2003,136(4):13-18.