Ge/Ge_(0.9)Sn_(0.1)/Ge量子阱的制备和表征

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• 论文作者：王楠 ; 丛慧 ; 薛春来 ; 王启明
• 年：2017
• 作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：O471.1
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：2
• 文件大小：416k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

通过向Ge中引入Sn形成Ge_(1-x)Sn_x合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值。在本文中,我们使用MBE在Si(001)衬底上外延生长了10个周期的Ge/Ge_(0.9)Sn_(0.1)/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好的晶格质量,观测到了明显的直接带隙发光,其光致发光(PL)谱的峰值位置在2043 nm处,为进一步实现硅基激光器奠定了良好的材料基础。

引文

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