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介质阻挡放电等离子体合成碳纳米管
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摘要
利用介质阻挡放电等离子体化学气相沉积技术,在蒸镀有13nmNi催化剂层的Si基材上,以CH4为碳源,H2与NH3的混和物为刻蚀和稀释气体,在630和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管.实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况,并给出了合成碳纳米管的最佳氨气含量区间.SEM和TEM测试发现,所合成的碳纳米管具有竹节型结构,Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制.实验还发现氨气含量对碳纳米管的生长影响很大,并对其原因进行了初步的分析。

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