料浆涂敷技术制备CuInSe2薄膜

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• 作者：聂洪波王延来果世驹倪沛然杨永刚尚斌
• 会议时间：2007-09-10
• 关键词：CuInSe2薄膜 ; 硒化 ; 铜铟合金 ; 料浆涂敷
• 作者单位：聂洪波,王延来,果世驹,杨永刚,尚斌(北京科技大学,材料科学与工程学院,北京,100083)倪沛然(无锡爱芯科微电子有限公司,无锡,214028)
• 母体文献：2007全国粉末冶金学术及应用技术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
• 会议名称：2007全国粉末冶金学术及应用技术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
• 会议地点：北京
• 主办单位：中国金属学会
• 语种：chi

摘要

用机械球磨方法研磨Cu-In合金和Se粉制备前驱体料浆,并将前驱体料浆涂敷在Mo箔上形成前驱体薄膜,进而在H2气氛中热处理成功制备CuInSe2薄膜.利用激光粒度分析仪、热重/差热联用仪(TG-DTA)和X-射线衍射仪(XRD)分析前驱体料浆,并且利用XRD、扫描电镜(SEM)和其配备的能谱仪(EDS)对CuInSe2薄膜进行分析和表征.结果表明:CuInSe2物相在180℃就已形成,并且随着温度升高晶体的结晶度逐步提高;在各个温度下制备的CuInSe2薄膜均是以(112)晶面择优取向;在硒化前对前驱体薄膜进行压制使其致密是制备优良CuInSe2薄膜的关键因素之一。