鈷鉻鉑複合氧化物(COCrPt-oxlde)濺鍍靶材之開發

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• 作者：陳榮志邱軍浩張瑞東賴志煌
• 会议时间：2011-08-26
• 关键词：钴铬铂 ; 溅镀靶材交互耦合 ; 垂直记录 ; 磁性薄膜 ; 复合氧化物
• 作者单位：陳榮志,邱軍浩,張瑞東(中國鋼鐵公司 新材料研究發展處)賴志煌(中國鋼鐵公司 新材料研究發展處 國立清華大學 材料工程學系)
• 母体文献：2011全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会论文集
• 会议名称：2011全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
• 会议地点：广州
• 主办单位：中国有色金属学会
• 语种：chi

摘要

目前市售硬碟其记录媒体的主流材料系统为CoCrPt-oxide磁性薄膜,藉由氧化物与铬等非磁性相偏析於磁晶界上,可降低磁晶间的交互耦合作用力及缩小磁晶粒径,进一步提升碟片的记录密度。本研究以粉末冶金制程进行CoCrPt-SiO2、CoCrPt-Ta2O5、CoCrPt-SiO2-Ta2O5溅镀靶材的制作,并以直流磁控溅镀方式制作出磁性薄膜之後,针对不同陶瓷对CoCrPt磁性薄膜的影响进行探讨。研究结果显示,三种不同CoCrPt-Oxide磁性薄膜系统皆具备垂直磁异向性,但矫顽场(Hc)以CoCrPt-SiO2-Ta2O5薄膜系统较高,约~4400 Oe;此外,Ta2O5比SiO2氧化物偏析於磁晶界的能力较强,且能有效地降低磁晶薄膜间的交互耦合作用力:若同时添加Ta2O5与SiO2两种氧化物时,其薄膜的磁异向性(Ku)皆比单独添加者高,因此,CoCrPt-SiO2-Ta2O5薄膜的热稳定因数(thermal stability factor)高达93.6,可以满足现阶段垂直记录媒体对热稳定性的要求(KuV*/KbT>60)。