铜含量对脉冲偏压电弧离子镀Zr-Cu-N薄膜结构与性能的影响

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• 作者：张林林国强马国佳魏科科
• 会议时间：2012-09-13
• 关键词：脉冲偏压电弧离子镀 ; 锆-铜-氮薄膜 ; 铜含量 ; 结构特征 ; 性能指标
• 作者单位：张林,马国佳(大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,辽宁大连116024;北京航空制造工程研究所高能束流加工技术重点实验室,北京100024)林国强,魏科科(大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,辽宁大连116024)
• 母体文献：第四届高能束加工技术国际学术会议论文集
• 会议名称：第四届高能束加工技术国际学术会议
• 会议地点：青岛
• 主办单位：中国机械工程学会
• 语种：chi
• 分类号：TQ3;TQ0

摘要

利用脉冲偏压电弧离子镀设备调控分离靶弧流,在高速钢和Si基体上沉积了不同铜含量的Zr-Cu-N薄膜.采用EPMA、XRD、纳米压痕以及摩擦磨损试验机研究铜含量对薄膜的组分、结构、力学性能和摩擦学性能.研究表明:Zr-Cu-N薄膜结构主要依赖于铜含量;铜对作为软质相能有效地抑制ZrN晶粒的生长;随着铜含量的增加,薄膜硬度和弹性模量逐渐降低,最高分别为35.5和390.6GPa,而摩擦系数先增加后减小,最低为0.15.