过电流状态下铜导体特征的AES研究

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• 作者：刘术军邸曼于丽丽赵长征高伟
• 会议时间：2009-10-24
• 关键词：过电流 ; 俄歇电子能谱 ; 深度刻蚀 ; 铜导体
• 作者单位：公安部沈阳消防研究所 火场勘验与物证鉴定公安部重点实验室,辽宁 沈阳 110034
• 母体文献：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会论文集
• 会议名称：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会
• 会议地点：桂林
• 主办单位：中国体视学学会
• 语种：chi

摘要

利用俄歇电子能谱仪(AES)对不同时间过电流下的铜导体进行了深度刻蚀,结果表明在不同时间过电流下的铜导体样品表面都含有Cu、O、C、N、Cl等元素,且随着刻蚀时间的增加,样品中C、O原子百分比值逐渐降低,且过电流时间越长的样品,C、O原子百分比曲线下降的越平缓:以溅射时间为Os和30s时的原子百分比值之差来表示曲线的斜率,C、O原子百分比曲线的斜率都逐渐减小;在同一深度下,不同过电流时间样品所含原子的分布规律相同,即C[%]>O[%]>Cl[%]。