连续生长的双面CeO2种子层均匀性研究

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• 作者：熊杰陶伯万韩晓贺镜谭冯啸宋晓科张飞李言荣
• 会议时间：2007-12-07
• 关键词：涂层导体 ; 双面带材 ; 缓冲层 ; 磁控溅射 ; 高温超导
• 作者单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054
• 母体文献：第九届全国超导学术研讨会论文集
• 会议名称：第九届全国超导学术研讨会
• 会议地点：西安
• 主办单位：中国材料研究学会
• 语种：chi

摘要

采用直流反应磁控溅射方法在轧制辅助双轴织构Ni-5at%w基带上。成功连续制备出可用作第二代高温超导带材过渡层的高质量双面CeO2种子层薄膜。x射线衍射表明薄膜均为(001)方向生长,并存在很强的内面外织构;原子力显微镜表征缓冲层表面连续平整,颗粒致密无裂纹,通过对长样品两面和不同位置研究,表明所制备得到的双面薄膜具有很好的两面一致性和单面均匀性。采用相同的工艺条件生长YSz中间层以及CeO2模版层得到CeO2/YSZ/CeO23层缓冲层结构。并在其短样上采用直流溅射生长YBCO薄膜进一步验证过渡层薄膜的质量,YBCO薄膜具有较高的结晶质量;其单面临界电流密度Jc以达到1.3 MA/cm2,双面带材临界电流,lc为113A/cm。在总厚度增加不大的情况下,双面带材的提出,能够使电流承载水平成倍增加,其工程电流密度大幅度增加。并有利于器件小型化。