光伏材CuInSe2粉末与薄膜的制备及研究

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• 作者：武素梅薛钰芝
• 会议时间：2009-10-14
• 关键词：CuInSe2 ; 薄膜 ; 机械化学法 ; 光伏材料
• 作者单位：大连交通大学材料科学与工程学院,辽宁大连 116028
• 母体文献：2009中国材料研讨会论文集
• 会议名称：2009中国材料研讨会
• 会议地点：苏州
• 主办单位：中国材料研究学会
• 语种：chi

摘要

本文先采用机械化学法合成了光伏材料CuInSe2(CIS)化合物粉末,然后以此为镀料,通过真空蒸镀法在玻璃甚底上制备了CuInSe2薄膜。使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)等方法,研究了CIS粉末及薄膜的结构,形貌与成分。采用分光光度计检测了薄膜的透过率,并计算了带隙。采用四探针测试仪检测薄膜的方块电阻。结果表明:采用机械化学法可以得到黄铜矿型的CIS粉末,粒径小于10μm。采用不同的电流蒸镀该粉末得到贫Cu的CIS薄膜,退火后得到了多晶薄膜,其光吸收系数约为10 5cm-1,带隙在1.76-2.08eV范围内。