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氧化石墨烯铬离子印迹材料的制备及其除Cr(Ⅲ)性能研究
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  • 作者:李建政李怀
  • 会议时间:2016-12-01
  • 关键词:印迹材料 ; 氧化石墨烯 ; 磁性材料 ; Cr(Ⅲ)去除
  • 作者单位:哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室,黑龙江哈尔滨150090
  • 会议名称:第六届重金属污染防治及风险评价研讨会
  • 会议地点:厦门
  • 主办单位:中国环境科学学会
  • 语种:chi
  • 分类号:O63;TQ3
摘要
针对制革废水二级处理出水的Cr(Ⅲ)去除,采用表面离子印迹技术制备了磁性氧化石墨烯表面Cr(Ⅲ)离子印迹材料Fe3O4@SiO2-GO ⅡP,探讨了pH和废水中共存金属离子对其Cr(Ⅲ)吸附性能的影响,并就其去除实际制革废水中Cr(Ⅲ)的性能进行了测试和评价.结果表明:制备的Fe3O4@SiO2-GO-ⅡP,其表面形成的Cr(Ⅲ)印迹空穴,对废水中的Cr(Ⅲ)具有较高的选择吸附性能;pH对其Cr(Ⅲ)吸附性能具有显著影响,适宜的pH为6 1左右;对于Cr(Ⅲ)浓度为2.65 mg/L的制革废水二级处理出水,Fe3O4@SiO2-GO-ⅡP投加剂量为3~4 g/L时,出水Cr(Ⅲ)浓度可达到GB30486-2013要求的最为严格的标准;对吸附饱和的Fe3O4@SiO2-GO-ⅡP,可采用0.1 mol/L的HC1溶液进行洗涤和再生.

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