自组装膜对铜在盐酸介质中的缓蚀作用

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• 作者：秦婷婷罗红群李念兵
• 会议时间：2010-07-01
• 关键词：多巴胺 ; 3-巯基丙基三甲氧基硅烷 ; 自组装膜 ; 电化学阻抗谱 ; 动电位极化 ; 缓蚀作用
• 作者单位：西南大学化学化工学院,重庆 400715
• 母体文献：第十六届全国缓蚀剂学术讨论会论文集
• 会议名称：第十六届全国缓蚀剂学术讨论会
• 会议地点：上海
• 主办单位：中国腐蚀与防护学会
• 语种：chi

摘要

应用自组装技术在铜电极表面上制备了多巴胺与-3-巯基丙基三甲氧基硅烷双层自组装膜。应用循环伏安曲线、电化学阻抗谱及动电位极化曲线技术研究了多巴胺与3-巯基丙基三甲氧基硅烷双层膜在0.5mol/L HCl溶液中对铜电极的缓蚀性能。结果表明,在多巴胺溶液和3-巯基丙基三甲氧基硅烷溶液中成膜的时间不同自组装膜表现的抗腐蚀性不同,在多巴胺溶液中浸泡24h、3-巯基丙基三甲氧基硅烷溶液中浸泡48h形成的双层膜的缓蚀效率最好。