自组装单分子膜为钝化层实现选择性原子层沉积氧化锌的研究

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• 作者：孔得霖张龙王册明桑利军杨丽珍
• 会议时间：2014-10-01
• 关键词：氧化锌半导体 ; 选择性原子层沉积技术 ; 自组装单分子膜 ; 致密结构
• 作者单位：北京印刷学院等离子体物理及材料研究室 北京 102600
• 母体文献：第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛论文集
• 会议名称：第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛
• 会议地点：武汉
• 主办单位：中国机械工程学会
• 语种：chi

摘要

报道了在SiO2基底上部分自组装一层致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜(OTS-SAMs)作为钝化层实现选择性原子层沉积氧化锌.为了制备致密结构的十八烷基三氯硅烷单分子膜,研究了自组装条件对单分子膜致密性的影响.采用AFM、SE、WCA表征在环境温度25℃,无水甲苯为溶剂,浓度为10mM,浸泡时间为12h得到的OTS-SAMs较为致密.结果为OTS-SAMs接触角为110.,表面粗糙度(Rq)为0.1nm,覆盖率超过99%单分子膜.致密的十八烷基三氯硅烷单分子膜能很好的阻挡原子层沉积(ALD)氧化锌.