硅片抗弯强度测试方法
- 标准编号：GB/T 15615-1995
- 其他标准名称：Test method for measuring flexure strength of silicon slices
- 标准类型：国家标准
- 关键词：半导体 ; 弯曲试验 ; 性能试验 ; 硅
- 发布日期：1995-07-12
- 实施日期：1996-02-01
- 摘要：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片的抗弯强度测试方法。本标准适用于晶向为〈111〉和〈100〉的直拉、悬浮区熔硅单晶片的常温下抗弯强度的测量。硅片厚度为250~900μm。
- 标准分类：方法
- CCS：H23
- ICS：77.040.01
- 英文关键词：BEND TESTS ; BENDING TEST ; BENDING TESTS ; SEMICONDUCTORS ; SEMICONDUCTORS ; BEND TESTING ; PERFORMANCE TESTS ; PERFORMANCE TESTING ; SILICONE ; SILICON
- 起草单位：中南工业大学
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：无效
- 页数：7
- 发布年份：1995
- 作废日期：2004-10-14
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的抗弯强度测试方法。 本标准适用于晶向为<111>和<100>的直拉、悬浮区熔硅单晶片的常温下抗弯强度的测量。硅片厚度为250~900μM。
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