硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- 标准编号：GB/T 14144-2009
- 其他标准名称：Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon
- 标准类型：国家标准
- 发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 起草单位：峨嵋半导体材料厂
- 起草人：杨旭、江莉
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：9
- 发布年份：2009
- 代替标准：GB/T 14144-1993,GB/T 14144-1993
- 部分代替标准：,
- 采用标准：SEMI MF 1188-1105
- 适用范围：本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω?CM的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω?CM的P型硅单晶中间隙氧含量的测量。本标准测量氧含量的有效范围从1×10
AT?CM 至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
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