低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

详细信息下载全文 | 推荐本文 |

标准编号：GB/T 24581-2009
其他标准名称：Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
标准类型：国家标准
关键词：硅 ; 化学分析和试验 ; 半导体 ; 含量测定 ; 晶体 ; 杂质
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准分类：方法
CCS：H80
ICS：29.045
英文关键词：SILICON ; SILICONE ; CHEMICAL ANALYSIS AND TESTING ; SEMICONDUCTORS ; CONTENT DETERMINATION ; CONTENT DETERMINATIONS ; DETERMINATION OF CONTENT ; CRYSTALS ; IMPURITIES ; IMPURITY
起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司
起草人：梁洪、过惠芬、吴道荣
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位：国家标准化管理委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
标准状态：有效
页数：10
发布年份：2009
部分代替标准：,
采用标准：SEMI MF 1630-0704
适用范围：本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(AS)、铝(AL)、锑(SB)和镓(GA)的含量。本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10~5.0×1O)A。每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到,并给出了对每个元素的校准因子。

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700