掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
- 标准编号：GB/T 13389-2014
- 其他标准名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
- 标准类型：国家标准
- 发布日期：2014-12-31
- 实施日期：2015-09-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 起草单位：有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司
- 起草人：孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧等
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：0
- 发布年份：2014
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂荆浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10(14)cm-3~1×1020cm-3,掺磷浓度3×10(13)cm-3~1×10(20)cm-3,掺砷浓度10(19)cm-3~6×10(20)cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶渗杂剂浓度可扩展到10(12)cm-3。本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。
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