Au/CdZnTe电极接触的热处理优化工艺

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• 出版年：2009
• 作者：梁小燕；闵嘉华；王长君；桑文斌；顾莹；赵岳；周晨莹
• 单位1：上海大学
• 出生年：1983
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：CdZnTe；M-S接触；热处理：真空蒸发；电学性能
• 起始页：2085
• 总页数：4
• 刊名：稀有金属材料与工程
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国有色金属学会；中国材料研究学会；西北有色金属研究院
• 主编：殷为宏
• 地址：北京市东黄城根北街16号
• 邮编：100717
• 电子信箱：rmme@c-nin.com
• 网址：http://www.rmme.ac.com
• 卷：38
• 期：12
• 期刊索取号：P822.06 141-1
• 数据库收录：国家重点学术期刊；国家精品科技期刊；首届国家期刊奖；中国优秀科技期刊一等奖；中国有色金属工业优秀科技期刊一等奖；中国期刊方阵双奖期刊；陕西省首届“大报名刊工程”期刊；陕西省优秀科技期刊特等奖；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库文献源；中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊；中国学术期刊光盘版入网刊物；美国ISI数据库用刊(SCIExpanded®，ResearchAlert®.MaterialsScienceCitationIndex®)；美国工程索引(EI)文献源期刊；美国化学文
• 核心期刊：中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊

摘要

系统研究在空气气氛下热处理温度对真空蒸发法制备Au/CdZnTe电极接触特性的影响。结果表明，在353～373K温度范围内进行热处理可以获得更优化的电极接触性能，测试得到电极与CdZnTe接触势垒较低，接触电阻较小，欧姆系数最佳，并且不会破坏CdZnTe体材料本身的性能。而当热处理温度高于400K时，Au电极沉积表面形貌明显变差，CdZnTe样品的漏电流大幅增加。这可能是由于随着热处理温度的增加，CdZnTe体材料表面的Cd升华加剧，产生大量的Cd空位引起的。