半绝缘Si/SiO₂超晶格结构在交流电场下的电致发光特性

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• 出版年：2009
• 作者：张新霞；孙甲明；张俊杰；杨阳；刘海旭
• 单位1：南开大学物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室
• 出生年：1983
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：超晶格；电致发光；Si量子点；电子平均自由程
• 起始页：129
• 总页数：4
• 经费资助：“973计划”基金资助项目（2007CB613403），国家自然科学基金资助项目（60776036），（教育部新世纪人才项目NCET-07-0459）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：27
• 期：1
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

本文研究了SiO₂和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO₂超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO₂层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点，获得了Si/SiO₂超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO₂超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强，最高发光亮度可达到1.4cd/m²。随着Si层厚度的增加，Si/SiO₂超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强，可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用。当超晶格中SiO₂层厚度小于过热电子的平均自由程时，过热电子的平均能量减小导致短波侧的发光强度迅速下降，电致发光强度随之迅速降低。