碳化硅表面钡铁氧体薄膜制备与吸波性能
- 出版年：2005
- 作者：张晏清；张雄
- 单位1：同济大学材料科学与工程学院
- 出生年：1955
- 职称：副教授
- 语种：中文
- 作者关键词：碳化硅；钡铁氧体；电磁吸波
- 起始页：120
- 总页数：3
- 经费资助：上海市科委纳米项目（0352nm041）；高等学校博士学科点专项科研基金项目（20030247035）
- 刊名：材料导报
- 是否内版：否
- 刊频：月刊
- 创刊时间：1987
- 主办单位：科学技术部西南信息中心
- 主编：彭丹
- 地址：重庆市渝中区胜利路132号
- 邮编：400013
- 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com
- 网址：http://www.mat-rev.com
- 卷：19
- 期：6
- 期刊索取号：P822.06 432
- 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
- 核心期刊：全国中文核心期刊
摘要
采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法在碳化硅表面形成钡铁氧体薄膜。XRD表明生成的铁氧体为六角磁铅型晶体BaFe12O19测定了材料在0.1～6.0GHz内的介电常数与磁导率。与单纯钡铁氧体比较，碳化硅表面沉积钡铁氧体薄层后复合相吸波频段宽化，吸波能力增强。
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