晶界氧吸附对SrTiO₃基压敏陶瓷的作用

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• 出版年：2005
• 作者：李建英；李盛涛
• 单位1：西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
• 出生年：1972
• 学历：博士
• 职称：副教授
• 语种：中文
• 作者关键词：SrTiO₃陶瓷；晶界；压敏电阻
• 起始页：1730
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（50307010）
• 刊名：稀有金属材料与工程
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国有色金属学会；中国材料研究学会；西北有色金属研究院
• 主编：殷为宏
• 地址：北京市东黄城根北街16号
• 邮编：100717
• 电子信箱：rmme@c-nin.com
• 网址：http://www.c-nin.com
• 卷：34
• 期：11
• 期刊索取号：P822.06 141-1
• 数据库收录：国家重点学术期刊；首届国家期刊奖；中国优秀科技期刊一等奖；中国有色金属工业；优秀科技期刊一等奖；中国期刊方阵双奖期刊；陕西省优秀科技期刊特等奖；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库文献源；中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊；中国学术期刊光盘版入网刊物；美国ISI数据库用刊(Sci Search®，Research Alert®,Materials ScienceCitation Index®）；美国工程索引(EI)文献源期刊；美国化学文摘(CA)文献源期刊；英国科学文摘(INSP
• 核心期刊：中文核心期刊；中国材料科学核心期刊；中国物理学核心期刊

摘要

研究了SrTiO₃基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用。发现SrTiO₃基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关，且随着热处理温度的升高而增大。进一步的试验表明SrTiO₃基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制。X射线光电子能谱（XPS）的Mn2p和O1s谱图表明，表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的。因此，氧在晶界处的化学吸附是SrTiO₃基陶瓷压敏特性产生的根源。