Si表面吸附GaN的第一性原理研究

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• 出版年：2009
• 作者：李炜；陈俊芳；王腾；张洪宾；郭超峰
• 单位1：华南师范大学物理与电信工程学院
• 出生年：1978
• 学历：硕士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：Si；GaN；吸附；第一性原理
• 起始页：71
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（10575039）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：16
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

为了更好地了解Si表面对GaN的吸附，利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，计算了Si（100）和Si（111）弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明，相对于Si（111）表面，Si（100）表面更容易吸附GaN，在同等实验条件下，在Si（100）表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺，于低温下在Si（100）衬底上沉积得到了GaN薄膜，XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。