CSD制备涂层导体缓冲层的技术进展
- 出版年：2009
- 作者：王耀；周廉；卢亚锋；李成山；于泽铭；李金山
- 单位1：西北工业大学凝固技术国家重点实验室
- 出生年：1981
- 学历：博士生
- 语种：中文
- 作者关键词：高温超导；涂层导体；缓冲层；化学溶液沉积
- 起始页：1
- 总页数：6
- 经费资助：国家自然科学基金资助项目（50872115）
- 刊名：材料导报
- 是否内版：否
- 刊频：半月刊
- 创刊时间：1987
- 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科学技术部西南信息中心）
- 主办单位：重庆西南信息有限公司
- 主编：张明
- 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
- 邮编：401121
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- 卷：23
- 期：19
- 期刊索取号：P822.06 432
- 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
- 核心期刊：全国中文核心期刊
摘要
化学溶液沉积（CSD）技术在制备高温超导涂层导体方面具有易操作和低成本的优点。简述了CSD技术的基本原理以及在不同结构缓冲层制备方面的应用，并展望了涂层导体缓冲层技术的发展趋势。
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