氧化锌薄膜的p型掺杂及光学和电学性质研究

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• 出版年：2009
• 作者：李韫慧；张琦锋；孙晖；薛增泉；吴锦雷
• 单位1：北京大学信息科学技术学院纳米器件物理与化学教育部重点实验室
• 单位2：中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室中国科学院研究生院
• 出生年：1982
• 学历：博士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：ZnO薄膜；掺杂；p-n结；光致发光
• 起始页：686
• 总页数：6
• 经费资助：国家重点基础研究发展规划项目（2001CB610503）；国家自然科学基金资助项目（60471007，60471008，90406024，50672002）；北京市自然科学基金资助项目（4042017）.
• 刊名：材料科学与工艺
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1982
• 主管单位：国防科学技术工业委员会
• 主办单位：中国材料研究学会；哈尔滨工业大学
• 主编：冯吉才
• 电子信箱：cailiaokexue@hope.HIT.edu.cn
• 网址：http：//journal.hit.edu.cn/
• 卷：17
• 期：5
• 期刊索取号：P822.06 423

摘要

为了实现氧化锌薄膜的p型掺杂，从而制备氧化锌同质p-n结，采用化学气相沉积法，以二水合醋酸锌为前驱，醋酸铵为氮源，在氧气氛下制备了氮掺杂的p型氧化锌薄膜.利用X射线光电子能谱和X射线衍射分析，表征了氧化锌薄膜的化学成分.通过霍尔效应测量证实了薄膜的p型导电特性.探讨了制备过程中温度、压强、源物质等条件对反应产物的影响，研究了薄膜的光学和电学特性，得到了p型氧化锌薄膜的吸收光谱和光致发光光谱，以及氧化锌p-n结的伏安特性曲线.