等离子体辅助有机金属（CH₃）₃Ga化学气相沉积GaN薄膜

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• 出版年：2010
• 作者：郭超峰；陈俊芳；符斯列；薛永奇；王燕；邵士运；赵益冉
• 单位1：华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室
• 出生年：1983
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：等离子体；化学气相沉积；GaN；反应；生长机制
• 起始页：86
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（10575039）；广东省重点攻关资助项目（ZKM01401G）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：6
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用ECR等离子体辅助技术，融合化学气相沉积法，在450℃的相对低温条件下于Si（100）衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征，并在制备过程中采集到反应室中N₂-（CH₃）₃Ga等离子体的发射光谱。结果表明，所制备的多晶体GaN薄膜是由N₂-（CH₃）₃Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的，其生长过程符合岛状生长机制。