金刚石半导体研究进展

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• 出版年：2010
• 作者：熊礼威；汪建华；满卫东；刘长林；翁俊
• 单位1：中国科学院等离子体物理研究所
• 单位2：武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室
• 出生年：1983
• 学历：博士生
• 语种：中文
• 作者关键词：金刚石；半导体；掺杂
• 起始页：117
• 总页数：5
• 经费资助：湖北省教育厅项目（Q20081505）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：7
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

金刚石具有一系列优异的物理化学性能，特别是独特的电学和热学性能，使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能，以及与其他半导体材料的性能比较，提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用，并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用。