脉冲激光沉积AIN薄膜的结构表征和性能研究进展

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• 出版年：2010
• 作者：谢尚昇；何欢；符跃春
• 单位1：广西大学材料科学与工程学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室
• 出生年：1986
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：脉冲激光沉积；AlN薄膜；衬底；工艺参数；性能
• 起始页：45
• 总页数：5
• 经费资助：广西自然科学基金项目（桂科基0731005）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：11
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

脉冲激光沉积法（PLD）以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AlN薄膜的优选制备方法。获得高质量的A1N薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹配和工艺参数。综述了各种常见异质外延衬底与AlN薄膜的取向关系，分析了影响薄膜质量的工艺因素，介绍了薄膜在电、光、热方面的性能研究现状，并指出了今后工作的方向。