掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性

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• 出版年：2008
• 作者：彭英才；康建波；马蕾；张雷；王侠；范志东
• 单位1：河北大学电子信息工程学院
• 单位2：中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
• 出生年：1948
• 职称：教授
• 语种：中文
• 作者关键词：LPCVD；nc-poly-Si(B)薄膜；结构特征；热退火；电学性质
• 起始页：471
• 总页数：5
• 经费资助：中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主办单位：中国硅酸盐学会；晶体生长与材料专业委员会；中材人工晶体研究院
• 主编：余明清
• 电子信箱：bjb@jtxb.cn；jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：37
• 期：2
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺，以SiH₄作为反应气体源和B₂H₆作为硼(B)掺杂剂，在单晶Si或石英表面上，通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段，检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征。结果表明，在典型工艺条件下，获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9×10¹⁰ cm^-2的nc-poly-Si( B)薄膜。样品经退火处理后，Si晶粒尺寸变大，排列更加有序，而且电导特性明显改善。利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻，并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响。