P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

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• 出版年：2008
• 作者：焦宝臣；张晓丹；赵颖；孙建；魏长春；杨瑞霞
• 单位1：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学，天津大学）
• 单位2：河北工业大学信息工程学院
• 出生年：1982
• 学历：硕士
• 语种：中文
• 作者关键词：ZnO薄膜；P型；透明导电薄膜；太阳电池
• 起始页：602
• 总页数：4
• 经费资助：天津市自然科学基金(05YFJMTC01600)；国家自然科学基金项目(No. 60506003)；南开大学博士启动基金(J02031)；科技部国际合作重点项目(2006DFA62390)；国家重点基础研究发展规划项目(No．2006CB202602, 2006CB202603)；新世纪优秀人才计划
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料工业联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究所
• 主编：余明清
• 电子信箱：bjb@jtxb.cn；jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：37
• 期：3
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法，在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明：p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为：电阻率为4.21Ω·cm、迁移率是0.22 cm²/(V·s)、载流子浓度为6.68×10¹⁸cm^-3。此材料初步应用到微晶硅电池中，其开路电压为0.47 V。