ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

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• 出版年：2010
• 作者：张学宇；吴爱民；冯煜东；胡娟；岳红云；闻立时
• 单位1：大连理工大学三柬材料改性教育部重点实验室
• 单位2：大连理工大学材料科学与工程学院
• 出生年：1983
• 学历：博士
• 语种：中文
• 作者关键词：ECR-PECVD；磷掺杂；微晶硅薄膜；霍尔测量
• 起始页：852
• 总页数：5
• 经费资助：教育部留学回国人员科研启动基金(200611AA03)；辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金(2005100A05)；辽宁省教育厅高等学校科技研究项目资助；中央高校基本科研业务费专项资金资助(No.DUTIOJN08)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：39
• 期：4
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊

摘要

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall，Raman光谱和XRD的测试分析，研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌，进而推测了薄膜的内部组成。实验发现：衬底温度在250℃时，磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率。衬底温度提高到350℃后这种影响明显下降。薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显，衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助。