ZnGeP₂单晶生长与安瓿设计研究

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• 出版年：2010
• 作者：梁栋程；赵北君；朱世富；陈宝军；何知宇；范强；徐婷
• 单位1：四川大学材料科学系
• 出生年：1982
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：磷锗锌；安瓿设计；XRD分析；IR透过谱
• 起始页：834
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金(No.50672061，No．50732005)；国家高技术研究发展计划(863)项目(2007AA03Z443)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：39
• 期：4
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊

摘要

根据晶体自发成核几何淘汰规律，结合ZnGeP₂晶体的结晶习性，研究设计出生长完整ZnGeP₂单晶体的双层镀碳石英安瓿，其关键技术参数为：安瓿长径比6～7，籽晶袋长度≥25mm，安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右。在上述生长安瓿中，采用改进的垂直布里奇曼法，分段控制下降速率，成功生长出尺寸为φ22mm×40mm的ZnGeP₂单晶。对晶体进行X射线分析，获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱，衍射峰峰形尖锐无劈裂，回摆谱对称性好，半峰宽为0.063°；晶片在2～12μm波段范围内的红外透过率达50%以上。实验结果表明，研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长，能够获得较高质量的单晶体。