分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究

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• 出版年：2008
• 作者：王斌；徐晓轩；秦哲；宋宁；张存洲
• 单位1：南开大学泰达应用物理学院
• 单位2：南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
• 出生年：1980
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：分子束外延；n-GaAs/SI-GaAs；掺杂浓度；拉曼光谱
• 起始页：2103
• 总页数：4
• 经费资助：教育部“振兴计划”项目基金(A01504)资助
• 刊名：光谱学会光谱分析
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1981
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国光学学会
• 主编：黄本立
• 地址：北京市海淀区魏公村学院南路76号
• 邮编：100081
• 电子信箱：chngpxygpfx@vip.sina.com
• 网址：http://www.gpxygpfx.com
• 卷：28
• 期：9
• 期刊索取号：P342.06220
• 核心期刊：物理类、化学类核心期刊

摘要

用分子束外延(MBE)技术，在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度(从10¹⁶cm^-3到10¹⁸cm^-3)的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析，拉曼位移出现了明显的移动，光学横模，TO峰相对的增强，光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高，致使界面失配位错不断地提高造成的，内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动平衡被破坏，四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。并且由于横声子模具有Raman活性，横声子模被相对的增强了。实验结果与理论是互相吻合的。