Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

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• 出版年：2008
• 作者：徐群杰；朱律均；齐航；曹为民；周国定
• 单位1：上海电力学院能源与环境工程学院
• 出生年：1969
• 职称：教授
• 语种：中文
• 作者关键词：Cu；光电化学；腐蚀；缓蚀剂；聚天冬氨酸
• 起始页：1360
• 总页数：6
• 经费资助：国家自然科学基金项目20406009、上海市科委科技攻关计划062312045和上海市重点学科项目P1304资助
• 刊名：金属学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1956
• 主办单位：中国金属学会
• 主编：柯俊
• 地址：沈阳文化路72号
• 邮编：110016
• 电子信箱：jsxb@imr.ac.cn
• 网址：www.ams.org.cn
• 卷：44
• 期：11
• 期刊索取号：P750.66 350
• 数据库收录：第三届国家期刊奖

摘要

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸一硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸硼砂缓冲溶液中，表面的Cu₂O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl（小于0.5g/L）时，Cu表面Cu₂O膜会受轻微Cl^-掺杂但不会改变半导体性质；当溶液中存在较多NaCl（0.5—15g/L）时，Cu₂O膜会受Cl^-较严重的侵蚀，Cl^-掺杂使Cu₂O膜部分转成n型；当溶液中存在大量NaCl（大于15g/L）时，Cu₂O膜完全被Cl^-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用：当NaCl浓度为2g/L时，PASP与溶液中的Cl^-在Cu表面竞争吸附，明显抑制了Cl^-对Cu₂O膜的掺杂，Cu₂O受到了保护仍为p型；在NaCl浓度为30g/L时，PASP与Cl^-竞争吸附只能削弱Cl^-对Cu₂O膜的掺杂，Cu₂O膜仍受Cl^-掺杂而转成n型，但n型性质变弱.对Cu₂O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.