硫化铜矿物电子结构的第一性原理研究

详细信息   

• 责任者：陈建华^c广西大学^d1971^f教授 ; 王进明^c中南大学 ; 龙贤灏 ; 郭进
• 刊名：中南大学学报（自然科学版）
• 出版年：2011
• 卷期：42^b12总208
• 关键词：浮选 ; 硫化铜类20^a选矿试验 ; 浮选药剂 ; 结构 ; 密度 ; 理论研究30^a前线轨道
• 页码：3612～3617
• 索书号：P706.6/140
• 图表：^c表3参23插图
• 分类号：2510
• 文摘期号：2012/09/a

摘要

基于密度泛函理论的平面波赝势方法，计算黄铜矿、辉铜矿、铜蓝、斑铜矿的电子结构性质，并讨论硫化铜矿物电子结构与其可浮性之间的关系。利用费米能级讨论不同硫化铜矿物参与化学反应的活性位置及其与黄药作用生成不同产物的原因。计算结果表明:黄铜矿禁带宽度为0.99 eV，属于直接带隙p型半导体，而辉铜矿、铜蓝、斑铜矿则为导体。前线轨道计算结果能够很好地解释4种硫化铜矿物氧化性差异。为进一步认清硫化铜矿物可浮性的差异及硫化铜矿物新药剂开发提供理论参考。