硅氮氧薄膜中N-Si-O缺陷态在p-n结LED器件和光增益特性中的作用
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- 论文作者：林泽文 ; 陈坤基 ; 张鹏展 ; 徐骏 ; 董恒平 ; 李伟 ; 黄信凡
- 年：2017
- 作者机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室;
- 会议召开时间：2017-05-25
- 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
- 语种：中文
- 分类号：O484;TN312.8
- 学会代码：XMJS
- 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
- 会议地点：中国福建厦门
- 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
- 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
- 页数：2
- 文件大小：549k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
对掺氧后a-SiN_xO_y发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiN_xO_y薄膜N-Si-O缺陷态发光机制。在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因。此外,我们研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用。
引文
[1]Pengzhan Zhang,Kunji Chen,Zewen Lin,et al.,The role of N-Si-O bonding configurations in tunable photoluminescence of oxygenated amorphous silicon nitride films,Appl.Phys.Lett.,2015,106,231103.
[2]Pengzhan Zhang,Kunji Chen,Zewen Lin,et al.,Dynamics of high quantum efficiency photoluminescence from N-Si-O bonding states in oxygenated amorphous silicon nitride films,Appl.Phys.Lett.,2016,108,111103.
[3]Zewen Lin,Kunji Chen,Pengzhan Zhang,et al.,Improved power efficiency in phosphorus doped n-a-Si Nx Oy/p-Si heterojunction light emitting diode,Appl.Phys.Lett.,2017,110,081109.
[2]Pengzhan Zhang,Kunji Chen,Zewen Lin,et al.,Dynamics of high quantum efficiency photoluminescence from N-Si-O bonding states in oxygenated amorphous silicon nitride films,Appl.Phys.Lett.,2016,108,111103.
[3]Zewen Lin,Kunji Chen,Pengzhan Zhang,et al.,Improved power efficiency in phosphorus doped n-a-Si Nx Oy/p-Si heterojunction light emitting diode,Appl.Phys.Lett.,2017,110,081109.