磷掺杂Si QDs/SiO_2多层膜的发光与光增益特性研究

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• 论文作者：李东珂 ; 蒋怡成 ; 张培 ; 徐骏 ; 李伟 ; 陈坤基
• 年：2017
• 作者机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：TN304
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：1
• 文件大小：204k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

<正>在实现Si基单片光电器件集成中,最具挑战性的任务是获得高效发光的Si基光源。由于Si是间接带隙半导体,其发光效率很低,为解决这一难点,人们进行了多方面的探索,其中受量子限制效应调制的纳米硅发光材料是一直是人们研究的热点之一。近期研究发现,掺杂是调控纳米硅发光波长,提高其发光强度的有力手段。本文利用PECVD沉积了磷(P)掺杂的非晶Si/SiO_2多层膜,随后

引文