用户名: 密码: 验证码:
污秽对红外成像法测零值绝缘子影响的有限元分析
详细信息    查看全文 | 推荐本文 |
  • 英文篇名:Finite Element Analysis on Influence of Pollution on Detecting Faulty Insulators by Infrared Imaging Method
  • 作者:王欣 ; 李凯迪 ; 陈凡辉 ; 钱平 ; 尹骏刚 ; 周友维 ; 姚建刚
  • 英文作者:WANG Xin;LI Kaidi;CHEN Fanhui;QIAN Ping;YIN Jungang;ZHOU Youwei;YAO Jiangang;College of Electrical and Information Engineering, Hunan University;State Grid Zhejiang Electric Power Company;
  • 关键词:覆污绝缘子 ; 电位分布 ; 有限元法 ; 三维模型 ; 不均匀性
  • 英文关键词:contaminated insulators;;potential distribution;;finite element method;;three-dimensional model;;non-uniformity
  • 中文刊名:JYCT
  • 英文刊名:Insulating Materials
  • 机构:湖南大学电气与信息工程学院;国网浙江省电力有限公司;
  • 出版日期:2019-01-20 07:00
  • 出版单位:绝缘材料
  • 年:2019
  • 期:v.52
  • 基金:浙江省电力有限公司科研基金项目(SGZJJX00BYJS1700242)
  • 语种:中文;
  • 页:JYCT201901016
  • 页数:7
  • CN:01
  • ISSN:45-1287/TM
  • 分类号:90-96
摘要
为研究污秽对绝缘子串电压分布及红外热像法测零值绝缘子的影响,以110 kV绝缘子串为例,采用有限元分析方法对不同污秽条件下含零值及正常绝缘子串的电压分布进行了多组仿真对比试验。结果表明:零值绝缘子位于两端比位于中部对绝缘子串电压分布的影响更大;随着等值盐密的增大,绝缘子串电压分布趋于均匀,零值绝缘子负温升特征的显著性有所下降;绝缘子串下表面覆污时的电压分布比上表面覆污时更均匀;当两端污秽度大时,绝缘子串的分布电压在中部最高。
        In order to investigate the influence of pollution on the voltage distribution of insulator strings and the decection of faulty insulators by infrared imaging method, the voltage distribution of 110 kV insulator strings with and without faulty insulator was simulated and compared by finite element analysis under different content of pollution. The results show that the effect of faulty insulator at the end of insulator string on the voltage distribution is bigger than that in the middle. With the increase of the equivalent salt deposit density, the voltage distribution of insulator string tends to be uniform, and the significance of negative temperature rise of faulty insulator decreases. When the lower surface of insulator string is polluted, the voltage distribution of insulator string is more uniform. When the pollution is heavy at both ends of insulator string, the middle of insulator string has the highest voltage.
引文
[1]龚坚刚.长棒型绝缘子在超高压输电线路中的应用前景[J].浙江电力,2000(5):11-15.
    [2]关志成.绝缘子及输变电设备外绝缘[M].北京:清华大学出版社,2006.
    [3]周志成,赵晨龙,高嵩,等.绝缘子自然污秽下受潮及导电特性分析[J].高电压技术,2014,40(12):1-2.
    [4]周志成,温涛源,高嵩,等.绝缘子表面自然污秽物性与污染源关系研究[J].高压电器,2017,53(2):1-4.
    [5]张志劲,蒋兴良,孙才新,等.染污绝缘子串直流污闪放电模型及验证[J].电工技术学报,2009,24(4):36-41.
    [6]齐飞.绝缘子串在污秽分布不均匀时的污闪特性及闪络机理研究[D].武汉:华中科技大学,2009:1-8.
    [7]袁小娴. 110kV线路绝缘子串电压分布和电场分布的研究[D].武汉:华中科技大学,2007:12-18.
    [8]高博,王清亮,周建博,等.干燥带对污秽绝缘子电场分布的影响[J].高电压技术,2009,35(10):1-6.
    [9]高博,张亚婷,王清亮,等.污秽不均匀性对绝缘子电场的影响[J].电磁避雷器,2008(3):13-16,21.
    [10]吴松,陈俊武,陈智,等.模拟自然污秽绝缘子串的电压分布试验研究[J].中国电机工程学报,2012,32(16):182-188.
    [11]蒋兴良,夏强峰,胡琴,等.劣化绝缘子对悬垂串电场分布特性的影响[J].中国电机工程学报,2010,30(16):118-124.
    [12]蒋兴良,夏强峰.污秽对红外成像法检测劣化绝缘子的影响[J].高电压技术,2010,36(7):1619-1624.
    [13]胡世征.劣化绝缘子的发热机理及热象特征[J].电网技术,1997,21(10):44-46.
    [14]姚建刚,彭子健.高压瓷绝缘子红外热像检测盲区研究[J].电网技术,2017,41(11):3705-3712..
    [15]李佐胜,姚建刚,杨迎建,等.湿污绝缘子发热模型[J].电工技术学报,2009,24(7):21-27.
    [16]王月清,华光.电磁场与电磁波导论[M].北京:电子工业出版社,2009.
    [17]严璋,朱德恒.高电压绝缘技术[M].北京:中国电力出版社,2002,106.
    [18]张国强,张元录,崔翔.高压套管均压球电极形状优化的研究[J].中国电机工程学报,1999,19(1):37-40.
    [19]张明,祝新飞,张达.湿污绝缘子的温度场研究[J].绝缘材料,2017,50(10):37-42.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700