基于智能卡芯片应用场景的闪存读干扰测试方法

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英文篇名：FLASH endurance test method based on the application scenario of telecom smart card chip 作者：蒋玉茜 ; 王西国 ; 董攀 英文作者：JIANG Yu-qian;WANG Xi-guo;DONG Pan;CEC Huada Electronic Design Co., Ltd.,Beijing;Beijing Key Laboratory of RFID Chip Test Technology; 关键词：闪存 ; 耐久力 ; 应用场景 ; 可靠性测试 英文关键词：FLASH;;Endurance;;Application Scenarios;;Reliability Test 中文刊名：JCDI 英文刊名：China Integrated Circuit 机构：北京中电华大电子设计有限责任公司;射频识别芯片检测技术北京市重点实验室; 出版日期：2019-07-05 出版单位：中国集成电路 年：2019 期：v.28;No.242 语种：中文; 页：JCDI201907018 页数：5 CN：07 ISSN：11-5209/TN 分类号：83-87

摘要

工艺半导体制造工艺演进给闪存可靠性带来挑战。闪存可靠性测试是智能卡芯片可靠性测试中的关键测试,闪存可靠性测试的读干扰评价也越来越重要。本文介绍了智能卡芯片在应用场景下的闪存耐久力测试方法。该方法能提供应用级的寿命评估,同时也不会占用过多测试资源。实验结果表明作为一种应用场景可靠性水平分析方法,可用于评估和分析电信卡在应用场景下的可靠性水平。
        The FLASH reliability is challenged by semiconductor manufacture technology development. The FLASH reliability test is very important for smart card chip. The FLASH reliability test is the key technology in the smart card reliability test. This paper introduces the FLASH endurance test method of telecom smart card based on application scenarios system.

引文

[1] JESD47 Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits, July 2012.
    [2] AEC-Q100-005 NON-VOLATILE MEMORY PROGRAM/ERASE ENDURANCE, DATA RETENTION,AND OPERATING LIFE TEST,January 2012.
    [3] JESD22-A117 Electrically Erasable Programmable ROM(EEPROM)Program/Erase Endurance and Data Retention Stress Test,October 2011.