In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

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	作者：王冬 关键词：ZnO ; In薄膜 ; In含量 ; 结晶质量 ; BM效应 中文刊名：HLYJ 英文刊名：Metallurgy and Materials 机构：重庆师范大学物理与电子工程学院; 出版日期：2019-02-15 出版单位：冶金与材料 年：2019 期：v.39;No.146 语种：中文; 页：HLYJ201901026 页数：2 CN：01 ISSN：23-1602/TF 分类号：55+57

摘要

借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。
        

引文

[1]刘国云.ONCALL系统与移动短信平台联动研究与实施[J].水电厂自动化,2016,(3):76-78.