Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究
- 作者：胡昌义李靖华王云万吉高钱旭高逸群邓德国尹志民
- 会议时间：2002-07-01
- 关键词：铱薄膜 ; 化学气相沉积 ; SEM
- 作者单位：胡昌义,李靖华,王云,万吉高,钱旭,高逸群,邓德国(贵研铂业股份有限公司(昆明))尹志民(中南大学(长沙))
- 母体文献：新世纪贵金属科技与产业—第二届全国贵金属学术研讨会论文集 2002年增刊
- 会议名称：第二届全国贵金属学术研讨会
- 会议地点：西安
- 主办单位：中国有色金属学会
- 语种：chi
摘要
以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响.发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当T<,sub>低于750℃时,D<,r>随T<,sub>的上升而直线增加;而当T<,sub>高于750℃时,D<,r>则随T<,sub>的上升而呈直线降低,D<,r>值在750℃时达到最大.SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关.