铜的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

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• 作者：徐群杰朱律均曹为民
• 会议时间：2007-11-01
• 关键词：光电化学 ; 缓蚀剂 ; 聚天冬氨酸 ; 铜腐蚀
• 作者单位：徐群杰(上海电力学院 能源与环境工程学院 200090)朱律均(上海电力学院 能源与环境工程学院 200090;上海大学理学院化学系 上海 200444)曹为民(上海大学理学院化学系 上海 200444)
• 母体文献：裕祥杯第十届全国青年腐蚀与防护科技论文讲评会暨第八届中国青年腐蚀与防护研讨会论文集
• 会议名称：裕祥杯第十届全国青年腐蚀与防护科技论文讲评会暨第八届中国青年腐蚀与防护研讨会
• 会议地点：沈阳
• 主办单位：中国腐蚀与防护学会
• 语种：chi

摘要

用光电化学方法研究了铜在不同浓度的NaCl中的腐蚀与缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对铜的缓蚀作用。铜在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为p-型半导体。当铜所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转型成n-型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n-型。缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)的加入能够对铜起到缓蚀作用:当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在铜表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu20.膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为p-型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-时Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转型成n-型,但n-型性质变弱。