Ce1-zSmzO2-y缓冲层的化学溶液法制备
- 作者：雷和畅朱雪斌宋文海孙玉平
- 会议时间：2007-12-07
- 关键词：涂层导体 ; 缓冲层 ; 化学溶液法 ; 双轴织构
- 作者单位：中国科学院固体物理研究所,安徽合肥 230031
- 母体文献：第九届全国超导学术研讨会论文集
- 会议名称：第九届全国超导学术研讨会
- 会议地点：西安
- 主办单位：中国材料研究学会
- 语种：chi
摘要
采用化学溶液法在Niw(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2,1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层:在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂现象被逐步抑制。对x=1的sm2O3缓冲层而言,当厚度增加到120 nm时依然没有产生裂纹,表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。