添加Ge的In₁₀Sb₁₀Ge三元合金热电性能

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• 出版年：2010
• 作者：颜艳明；应鹏展；崔教林；付红；张晓军
• 单位1：中国矿业大学材料科学与工程学院
• 出生年：1984
• 职称：Research
• 语种：中文
• 作者关键词：热电性能；In₁₀Sb₁₀Ge三元合金；放电等离子烧结
• 起始页：312
• 总页数：5
• 经费资助：National Natural Science Foundation of Chinaunder（50871056）and by the National＇863＇Hitech.Program of China（2009AA03Z322）.
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：28
• 期：2
• 期刊索取号：P82.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率，因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金，并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明，In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成，这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明，其晶格热导率在整个温度范围内都非常低，尤其在低温下更低，而载流子热导率随温度的升高，从6.3（W·m^-1·K^-1）降低到2.4（W·m^-1·K^-1），在热传输过程中起主要作用。在708K时In₁₀Sb₁₀Ge合金的最高ZT值为0.18。