脉冲电流占空比对Ni-SiC_p复合镀层电沉积行为的影响

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• 出版年：2010
• 作者：胡飞；胡跃辉
• 单位1：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院
• 职称：副教授
• 语种：中文
• 作者关键词：占空比；Ni-SiC_p复合镀层；等效电路模型；电沉积
• 起始页：123
• 总页数：4
• 经费资助：江西省科技支撑项目；江西省教育厅项目（GJJ09531）；景德镇市科技局项目
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：重庆西南信息有限公司（原科技部西南信息中心）
• 主办单位：重庆西南信息有限公司
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：24
• 期：14
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

利用不同占空比的脉冲电流电沉积法制备了Ni-SiC_p复合镀层，结果表明，随着占空比的增大，镍基晶粒尺寸和嵌入SiC沉积含量也随之增加，当占空比为50%时复合镀层达到最大显微硬度值。采用基于电化学阻抗谱结果建立的等效电路模型模拟了不同占空比下电沉积过程的电荷传递电流。模拟结果发现，随着占空比的增大，电荷传递峰电流减小，同时模拟了复合镀层中嵌入SiC颗粒的体积分数。模拟计算结果与试验结果相似。