硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响

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• 出版年：2008
• 作者：冯仁华；张溪文；韩高荣
• 单位1：浙江大学无机非金属材料研究所
• 出生年：1982
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：PECVD；na-Si：H；掺杂比；激活能
• 起始页：226
• 总页数：4
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：26
• 期：2
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中文科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜（na-Si：H），系统研究了掺杂气体比（B₂H。/SiH₄）、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响。研究表明，与传统掺硼非晶硅不同，随硼掺杂浓度的增加，掺硼na-Si：H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和，其电导激活能Ea≈0.50cV、σ_ph/σ_d>10²，具有应用于太阳能电池p型层的潜力。