氟氧微晶玻璃/二氧化硅系低温共烧陶瓷材料的煅烧行为

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• 出版年：2010
• 作者：王阳培华；齐西伟；李勃；戴春雷；郭海；周济
• 单位1：清华大学深圳研究生院
• 单位2：东北大学秦皇岛分校
• 出生年：1983
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：氟氧微晶玻璃；低温共烧陶瓷；玻璃陶瓷；介电性能
• 起始页：2331
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金（50902081），国家“973”计划（2009CB62-3304），国家“863”计划（2007AA03Z449）和广东省省部产学研（2009A090100021）资助项目
• 刊名：硅酸盐学报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1957
• 主管单位：中国科学技术学会
• 主办单位：中国硅酸盐学会
• 主编：黄勇
• 地址：北京海淀区三里河路11号
• 邮编：100831
• 电子信箱：jccsoc@vip.163.com
• 网址：http://www.jccsoc.com；http://www.ceramsoc.com；http://gsyxb.periodicals.net.cn；http://gxyb.chinajournal.net.cn
• 卷：38
• 期：12
• 期刊索取号：P872.066 591
• 数据库收录：Ei核心期刊；CA，SA，РЖ收录期刊
• 核心期刊：Ei核心期刊

摘要

制备SiO₂-B₂O₃-Al₂O₃-AlF₃-Li₂O-Na₂O-K₂O-CaO系氟氧低温微晶玻璃/二氧化硅共烧陶瓷材料，用X射线衍射、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分析讨论氟氧微晶玻璃/氧化硅主晶相的形成、致密性及介电性能。结果表明：氟氧玻璃/氧化硅陶瓷材料体系样品的最佳煅烧温度范围为750～780℃，煅烧时部分玻璃相转变成方石英，有助于进一步降低相对介电常数（ε_r）和介电损耗（tanδ），在780℃煅烧时，样品的体积密度达到最大值（2.31g/cm^-3），此时在1GHz频率测试，ε_r=4.42，tanδ=3×10^-3，所制备的材料是一种在基板、无源集成和电子封装等方向都具有较大应用前景的低温共烧陶瓷材料。