氨气氮化Ga₂O₃粉体合成GaN的生长机制研究

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• 出版年：2010
• 作者：薛小霜；王芬；朱建峰；王志伟；崔珊
• 单位1：陕西科技大学材料科学与工程学院
• 出生年：1985
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：GaN；热分解；重结晶
• 起始页：638
• 总页数：6
• 经费资助：国家自然科学基金(No．50802057)；陕西科技大学科研启动基金
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 卷：39
• 期：3
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

以Ga₂O₃为主要原料，通过氨气氮化反应合成了单相CaN粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050℃范围内，氮化温度和时间对产物的影响。结果表明：氮化温度在920℃以上时能够生成纯度较高的六方铅锌矿型GaN粉体，反应温度达到1000℃时，合成的粉体具有良好的结晶性能；当反应温度为1000℃，氮化时间为1.5h时，所得样品发光性能优异。反应产物初始的平板和柱状结构显示了系统反应开始为气-固机制(V-S)，但随时间的延长转变为以分解·重结晶为主导的合成机制，该机制使得粉体颗粒细化，并随着反应温度的提高以及氮化时间的延长，细化效果更加明显。