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源管理芯片低压低功耗过热保护
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  • 出版年:2006
  • 作者:刘振丰;冯全源
  • 单位1:西南交通大学信息科学技术学院
  • 出生年:1979
  • 学历:硕士
  • 语种:中文
  • 作者关键词:过热保护;温度传感器源管理芯片;BiCMOS集成路;PN结
  • 起始页:310
  • 总页数:4
  • 经费资助:国家自然科学基金资助项目(60371017);四川省学术和技术带头人资助项目(60371017)
  • 刊名:西南交通大学学报
  • 是否内版:否
  • 刊频:双月刊
  • 创刊时间:1954
  • 主管单位:中华人民共和国教育部
  • 主办单位:西南交通大学
  • 主编:路湛沁
  • 地址:中国成都
  • 邮编:610031
  • 电子信箱:bliu@home.swjtu.edu.cn
  • 网址:http://journal.swjtu.edu.cn
  • 卷:41
  • 期:3
  • 期刊索取号:P806.6 210
  • 数据库收录:全国中文核心期刊;中国期刊方阵期刊;德国数学文摘(ZBl)收录期刊;中国科技论文统计源期刊;中国科学引文数据库来源期刊;Ei Compendex收录期刊;
  • 核心期刊:全国中文核心期刊
摘要
利用晶体管PN结的导通压随温度升高而降低,而其变化值随温度的升高而增加的特性,设计了集成于源管理芯片内部的温度传感器,实现了过热保护,并通过反馈延迟重新接通源,避免了在过热温度点的热振荡.采用0.6 μm BiCMOS工艺参数,对路进行模拟仿真.结果表明,该路的功耗低(静态流约0.5 μA);在压为2.5~5.0V,关断温度设置为150℃时,关断温度误差<±1.00℃;重新接通源的迟滞温度设置为135℃时,实际接通源时的温度误差<±0.01℃.

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